Нередко оперативная память в ноутбуках является причиной плохой его работоспособности. Как определить, что память работает нормально, что она не является причиной неисправности?

Тесты для ОЗУ

Для тестирования памяти используются специальные программы, которые запускаются в монопольном режиме. Главным требованием к таким программам является достоверность теста, т.е. валидность. Для этого в наборе этих программ есть большое количество паттернов, которые проверяют различные тонкие места в ячейках памяти — сбойные ячейки, перекрестные наводки, устойчивость. Чем больше паттернов используется для тестирования памяти, тем выше доверие к этому тесту.

Программы, которые тестируют быстро, обычно имеют низкую валидность и часто пропускают плохую память.

Достаточно валидными программами являются goldmem и memtest.

В нашей мастерской вы можете, выполняя ремонт ноутбука или апгрейд, заменить оперативную память или увеличить ее.

Замена памяти в ноутбуке

DDR3

Чтобы правильно выполнить замену оперативной памяти, нужно определить ее тип и частоту. Частота памяти определяет ее пропускную способность. Например, при частоте памяти 2400 МГц пропускная способность равна 19200 Мб/с.

В основном сейчас используются модули памяти DDR3 и DDR4. Частота этой памяти определяется контроллером памяти, который находится в процессоре или на материнской плате.

DDR4

По виду модули памяти отличаются местом выреза в местах контактов.

На первом рисунке фото SODIMM DDR3, вырез ближе к середине. У памяти SODIMM DDR2 вырез ближе к краю. У DDR4 вырез почти посередине.

DDR2

Добавление памяти в ноутбук нужно в том случае, если памяти при пользовании недостаточно, если ноутбук тормозит из-за недостатка оперативной памяти, когда загрузка памяти приближается к 90-100%. В  случае недостатка оперативной памяти операционная система начинает все больше использовать файл подкачки на жестком диске, что резко замедляет производительность ноутбука, поскольку скорость ОЗУ  во много раз выше скорости жесткого диска.

Память отличается и по напряжению питания. Старый тип памяти DDR3 работал на 1.5В. Новый тип оперативной памяти имеет пониженное напряжение питания 1.35В и имеет в названии литеру L (DDR3L). Ноутбуки,рассчитанные на память L не будут работать со старой памятью.

Память SODIMM DDR4 расчитана на работу с напряжением 1.3В.

Тайминги в памяти определяют задержки в тактах до готовности к считыванию, например:

CAS Latency (CL): 16 (CAS — это количество тактов от момента запроса данных до их считывания)
RAS to CAS Delay (tRCD): 16 (задержка между сигналами выбора адреса строки и выбора адреса столбца)
Row Precharge Delay (tRP): 16 (время повторной выдачи сигнала RAS или время, через которое контроллер памяти может снова выдать сигнал инициализации адреса строки)

Чем меньше задержка, тем быстрее может работать память.

Задать вопрос: